据安芯网介绍，全球首张8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆成功下线。此创新成果采用了8寸SOI硅光晶圆与8寸铌酸锂晶圆的键合技术，实现了单片集成光电收发功能，堪称目前全球硅基化合物光电集成技术的最先进水平。
该项成果具有超低损耗、超高带宽的特点，可用于高端光芯片的规模化制造，堪称目前全球综合性能最优的光电集成芯片之一。该成果是由九峰山实验室与重要产业合作伙伴联合开发，预计将尽快投入产业应用安芯商城-电子元器件在线采购平台。
近年来电子元件现货网-安芯网-电子元器件在线采购平台，光子集成技术受到了5G通信、大数据、人工智能等行业的强力推动。铌酸锂作为一种理想的光子集成材料，以其大透明窗口、低传输损耗、良好的光电/压电/非线性等物理性能以及优良的机械稳定性备受关注。单晶薄膜铌酸锂则被认为是目前解决光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成以及低调制功耗需求的最优解决方案。