最新安芯网消息，美国加州公告指出中国最大3D NAND Flash厂商长江存储，正向控告美国存储芯片龙头美光（Micron）及其全资子公司美光消费产品集团，侵犯长江存储8 项3D NAND 美国专利。
根据长江存储的起诉书内容指出，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得市占率，诉讼是为终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新，并解决美光试图迫使长江存储退出3D NAND Flash 市场的问题德州芯片。
据悉，这次提告的半导体专利侵权，包括US10,950,623（3D NAND 存储器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存储装置及控制方法）、US10,658,378（三维存储器件的直通阵列接触,TAC）、US10,937,806 （3D 存储器件的直通阵列接触,TAC）、US10,861,872（3D存储器件及其形成方法）、US11,468,957（NAND 存储器操作的体系结构和方法）、US11 ,600,342（3D 维快闪存储器的读取方法）、US10,868,031（多层堆叠3D 存储器件及其制造方法）。
随着近年3D NAND 技术堆叠到128 层或以上，周边CMOS 电路所占据的芯片面积或将达到50% 以上，因此长江存储在2018 年推出自研的创新Xtacking 技术，长江存储的起诉书内容指出，美光的96 层、128 层、176 层及232 层3D NAND 侵害长江存储8 项专利。
有评论认为，由于美国商业部自2022 年10 月开始，这一年来不断扩大对中国芯片及设备的出口管制措施，并将长江存储等36 家企业列入「实体清单」，这次控告美光专利侵权可以说是长江存储元器件所做出的必要反击。